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            高介電低損耗聚偏氟乙烯基復合材料的制備及性能研究

            放大字體  縮小字體 發布日期:2018-01-30  瀏覽次數:2134
            核心提示:高介電低損耗聚偏氟乙烯基復合材料的制備及性能研究呂路路1,2,龍劍平1,朱朋莉2(1. 成都理工大學材料與化學化工學院,成
            高介電低損耗聚偏氟乙烯基復合材料的制備及性能研究
            呂路路1,2,龍劍平,朱朋莉
            (1. 成都理工大學材料與化學化工學院,成都610059;
            2. 中科院深圳先進技術研究院先進材料中心,廣東深圳518055)

            摘 要:隨著電子器件的持續小型化及能量密度的持續增加,人們對材料的性能有了更高,更嚴格的要求,本文通過溶液混合和旋涂法制備了鈦酸鋇附載的中空多孔碳球聚偏氟乙烯基復合材料薄膜。當填料含量從0 wt %增加至7 wt %時,介電常數從9. 12 增加至48. 52,介電損耗從0. 020 增加至0. 038,當填料增加至9 wt %時,介電常數高達5X10 展示了較高的介電常數和較低的介電損耗,結果表明此方法可以提高聚合物的介電常數并適用于其他碳雜化材料。
            關鍵詞:中空多孔碳球;鈦酸鋇;復合材料;介電性能
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