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    原位氣相反應法制備TiC涂層的工藝研究

    放大字體  縮小字體 發布日期:2018-01-30  瀏覽次數:2301
    核心提示:原位氣相反應法制備TiC 涂層的工藝研究胡 廳,萬 紅,華 葉(國防科技大學 航天科學與工程學院,長沙410073)摘 要:
    原位氣相反應法制備TiC 涂層的工藝研究
    胡 廳,萬 紅,華 葉
    (國防科技大學 航天科學與工程學院,長沙410073)

    摘 要:本文采用原位氣相反應法,分別以純Ti 粉和Ti - Si 合金為Ti 蒸汽形成源,在石墨基體上獲得了致密的TiC 層。研究表明,Ti 源和反應溫度的不同,所形成的TiC 的晶粒大小和擇優取向不同,且涂層的致密度也不同。采用Ti - Si 合金為原料時,1500℃反應溫度下的TiC 晶粒尺寸為3μm 左右,晶粒的擇優取向面為(200);1600℃反應溫度下TiC 晶粒尺寸為12μm 左右,晶粒的擇優取向面為(111),且涂層的致密性明顯提高。采用純Ti 為原料時,1850℃反應溫度下TiC 晶粒尺寸為11μm 左右,晶粒的擇優取向面為(200),且晶粒顯示出明顯的層狀生長方式。
    關鍵詞:TiC;涂層;原位氣相反應
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